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本报告结合个人在半导体量测设备技术行业的工作经历,简要介绍半导体领域的技术,主要包括芯片制造工艺流程,光学量测技术OCD,器件几何建模,光学仿真算法RCWA和明暗场检测设备图像处理集群。
2018年6月18日至6月22日,超大规模集成电路和半导体器件领域的顶级会议"2018 Symposium on VLSI Technology"在美国夏威夷举行。山东大学信息科学与工程学院陈杰智教授课题组与英国利物浦约翰摩尔斯大学纪志罡教授课题组共同发布了基于器件随机电报噪声(RTN)的超低功耗真随机数发生器的最新研究成果。陈杰智教授团队在纳米器件电报噪声领域深耕多年,其研究涵盖了噪声物理机理及...
When it comes to efficiency, sometimes it helps to look to Mother Nature for advice – even in technology as advanced as printable, flexible electronics.Researchers at the University of Illinois have d...
Sandwiched between the optical on the short wavelength side and microwave on the long wavelength extreme, the Terahertz (THz) or Far-Infrared spectral region has been considered a remaining scientific...
Chalmers University of Technology 孙捷博士来中国科学院半导体所访问交流     博士  访问  交流       font style='font-size:12px;'> 2011/11/7
应半导体所材料科学重点实验室的邀请, 2011年5月18日上午,瑞典Chalmers University of Technology的孙捷博士来半导体所进行学术交流。孙捷博士作了题为“Copper catalyzed chemical vapor deposition of graphene: material growth, film transfer and device character...
The ICSICT-2010 conference is the 10th in the series aiming to provide an international forum for the presentation and discussion of recent advances in solid-state and integrated circuit technology. T...
由中国分析测试协会和国际半导体设备与材料协会主办,中国分析测试协会试剂与应用技术分会(筹)和北京理化分析测试技术学会承办的“第一届国际试剂与应用技术报告会及展览会” 将于2009年10月14日至16日在北京国家会议中心举办。本次大会将邀请有关专家学者就试剂前沿技术、标准化及我国试剂现状和发展规划等作大会报告,并将安排精彩的专题学术报告。展览场地面积6000 平方米,大会将第一次大规模集中展示我国...
第九届固态和集成电路国际会议,ICSICT 2008,2008年10月20-23, 北京. 会议简介: 第九届ICSICT会议(International Conference on Solid-state and Integrated Circuit Technology)将于2008年10月20日-23日在北京举办。会议由IEEE北京分会和中国电子学会主办。 ICSICT是在中国举办...
This paper presents the design of a source injection parallel coupled (SIPC) quadrature voltage controlled oscillator (QVCO), realized in both −gm pMOS cross coupled switching stage and m ...
A silicon LED in standard CMOS technology for optical interconnection     silicon  LED  CMOS  optical interconnection       font style='font-size:12px;'> 2010/7/16
A silicon light emitting device is designed and simulated. It is fabricated in 0.6μm standard CMOS technology. The device can give more than 1μW optical power of visible light under reverse breakdown....
The arc plasma spraying process was applied to obtain ceramic coatings on stainless steel substrates. The outer coatings were formed from pure alumina or alumina + 2 wt. % titania mixture. The nichrom...

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