搜索结果: 1-11 共查到“半导体技术 n-Si”相关记录11条 . 查询时间(0.143 秒)
半导体国际知名媒体专题报道电子科技大学微电子与固体电子学院张波教授团队GaN-on-Si功率器件研究成果(图)
电子科技大学微电子与固体电子学院 张波教授团队 GaN-on-Si功率器件
font style='font-size:12px;'>
2016/1/26
近日,电子科技大学微电子与固体电子学院张波教授带领的功率集成技术实验室团队在微电子器件顶级期刊《IEEE Electron Device Letters》上发表题为“7.6 V Threshold Voltage High Performance Normally-off Al2O3/GaN MOSFET Achieved by Interface Charge Engineering”(界面电荷...
Simulation of Si CMES using synopsys sentaurus TCAD tools
Metal oxide semiconductor mechanical engineering inverter ion implantation model
font style='font-size:12px;'>
2014/12/31
This paper is concentrated on the development of a complete complementary silicon MESFET technology. The basic difference between MOS and MES are pointed out and design criteria for CMES inverters usi...
应变Si/(101)SixGe1-x空穴迁移率
应变Si 各向异性 迁移率
font style='font-size:12px;'>
2013/11/2
采用kp微扰理论,基于费米黄金法则及玻尔兹曼方程碰撞项近似理论,对(101)晶面双轴应变Si材料应力致迁移率增强机理进行了系统深入的研究.结果表明: 双轴应变Si(101)材料高对称晶向空穴迁移率在应力作用下均有明显增强,其空穴统观迁移率与未应变Si材料相比,最多提高约2倍.文中所得量化模型可为应变Si材料物理的深入理解及应变材料、器件的研究与设计提供有价值的参考.
差分SPV法测量a-Si:H材料少子扩散长度的数学模型
a-Si:H材料 差分SPV测量 扩散长度
font style='font-size:12px;'>
2009/9/23
用差分SPV法测量a-Si:H材料的少子扩散长度,可以消除被测样品背面结的影响.本文讨论了这种测量方法的数学模型,导出了测量公式,分析了影响测量结果的各种因素.
非有意掺杂LEC SI GaAs中EL2分布特性的研究
EL2 位错 AS沉淀
font style='font-size:12px;'>
2009/9/1
测量比较了不同条件下热处理后非有意掺杂半绝缘(SI)LEC GaAs中EL2浓度及其分布的变化,为了分析这一变化,还检测了位错和As沉淀的分布。在实验结果基础上,对EL2分布不均匀性的起源和热处理改善EL2分布均匀性的机理进行了讨论。
Ge+注入Si1-xGex/Si异质结的退火行为
离子注入 Si1-xGex/Si异质结 退火行为 X射线衍射
font style='font-size:12px;'>
2009/8/31
在注入能量为100 keV时,将注入剂量为5.3×1016/cm2的Ge+注入(001)SIMOX硅膜中制备Si1-xGex/Si异质结;然后,对样品进行碘钨灯快速热退火,退火温度为700~1 050℃,退火时间为5~30 min。对样品的(004)和(113)面X射线衍射数据进行计算和分析,得出退火温度为1 000℃、退火时间为30 min为最佳退火条件。在此退火条件下,假设固相外延生长为赝晶生...
用光电灵敏度法研究a-Si:H中的电荷放大效应
非晶硅 电荷放大效应 光电灵敏度法
font style='font-size:12px;'>
2009/5/11
测量了缝电极和梳形电极a-Si:H样品的光伏安特性和光电灵敏度,提出了由光电灵敏度计算电荷放大增益的方法。由此法测出的a-Si:H的电荷放大增益,在105V/cm电场下,高达4.3×103。本文从能态图讨论了a-Si:H中电荷放大效应的产生过程。由测量的增益值计算了电子迁移率与寿命之积。
Fe/Si薄膜中硅化物的形成和氧化
无机非金属材料 半导体材料 原子扩散
font style='font-size:12px;'>
2009/3/12
用磁控溅射方法制备Fe/Si薄膜, 采用卢瑟福背散射(RBS)技术研究了退火过程中的相变过程和氧化. 结果表明:未退火的Fe/Si薄膜界面清晰, 873 K退火后, 界面附近Fe、Si原子开始相互扩散,973 K退火后富金属相Fe1+xSi形成, 而1073 K退火后形成中间相FeSi,当温度增加至1273 K后所有硅化物完全转变为富硅相FeSi$_{2}$, 即随退火温度的升高,Fe、Si原子间...
Ni/Pd/Si固相反应及NiSi热稳定性增强研究
font style='font-size:12px;'>
2007/7/28
期刊信息
篇名
Ni/Pd/Si固相反应及NiSi热稳定性增强研究
语种
中文
撰写或编译
作者
屈新萍,茹国平,李炳宗等
第一作者单位
刊物名称
半导体学报,
页面
23(11), 1173-1177 (2002).
出版日期
2002年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
多层薄膜固相反应与Co-Ni系硅化物薄膜外延及应用研究
ZnO欧姆电极制备与n-ZnO/p-Si异质结紫外光电特性
ZnO 宽带隙 异质结 紫外
font style='font-size:12px;'>
2010/9/6
ZnO欧姆电极制备与n-ZnO/p-Si异质结紫外光电特性。
Modification of n-Si Characteristics by Annealing and Cooling at Different Rates
n-Si Annealing Cooling rate J–V plots SEM
font style='font-size:12px;'>
2010/12/7
The effect of annealing of the n-Si semiconductor on its characteristics in photoelectrochemical systems has been investigated. The annealing improved the dark current density vs. potential plots. The...