搜索结果: 1-11 共查到“知识要闻 InGaAs”相关记录11条 . 查询时间(0.125 秒)
Discovery半导体公司推出扩展InGaAs PD和光电接收器
Discovery 半导体 InGaAs PD 光电接收器
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2024/10/15
近期，光学接收器、测试仪器和子系统的领先供应商Discovery半导体公司（Discovery Semiconductors Inc.）推出了几种使用其扩展InGaAs光电二极管技术的新产品，用于各种空间应用。这些器件有多种配置：单光电二极管、平衡光电二极管和放大光接收器，采用不同的封装，例如具有K或SMA连接器的光纤耦合蝶形模块，没有同轴连接器的光纤耦合表面贴装技术(SMT)模块，以及具有宽抗反...
中国科学技术大学科研部高性能InGaAs单行载流子探测器芯片取得重大进展（图）
高性能InGaAs 流子探测器 芯片
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2022/11/14
中国科学技术大学王亮教授和韩正甫教授课题组研发的InGaAs单行载流子探测器芯片取得重大进展。该研究团队通过设计优化表面等离激元结构，开发成功低暗计数、高响应度、高带宽的单行载流子探测器芯片，为近红外探测器性能提升提供了开创性的方法，相关研究成果以“Plasmonic Resonance Enhanced Low Dark Current and High-Speed InP/InGaAs Uni...
上海技物所在平面型延伸波长InGaAs探测器方面取得进展（图）
长InGaAs探测器 高光谱成像
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2023/1/7
2022年10月13日，中国科学院上海技术物理研究所李雪和龚海梅研究员采用闭管扩散的方法成功研制了截止波长2.2μm的平面型延伸波长InGaAs探测器芯片，并对其相关性能进行了研究。该研究成果对后续进一步优化平面型延伸波长InGaAs焦平面探测器有重要的指导意义，以“截止波长2.2μm的平面型延伸波长InGaAs探测器”为题发表于《红外与毫米波学报》。
地球观测、多光谱和高光谱成像等应用领域，...
中国科大在InGaAs单光子探测芯片设计制造领域取得重要进展（图）
InGaAs单光子探测芯片 电子工程
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2022/11/16
中国科学技术大学光学与光学工程系王亮教授课题组设计并制备的InGaAs单光子探测器芯片取得重大进展。该研究团队通过设计金属—分布式布拉格反射器优化单光子探测器芯片的光学性能，完成低本征暗计数的单光子探测器芯片的全自主化设计与制备，实现了单光子探测器芯片的全国产化，为解决国家亟需的前沿科技问题迈进了重要一步。相关研究成果以“High performance InGaAs/InP single-pho...
中国科学技术大学物理学院王亮教授课题组在InGaAs单光子探测芯片设计制造领域取得重要进展（图）
单光子探测器芯片 国产化 半导体单光子雪崩二极管 SPAD
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2022/7/6
中国科学技术大学物理学院光学与光学工程系王亮教授课题组设计并制备的InGaAs单光子探测器芯片取得重大进展。该研究团队通过设计金属—分布式布拉格反射器优化单光子探测器芯片的光学性能，完成低本征暗计数的单光子探测器芯片的全自主化设计与制备，实现了单光子探测器芯片的全国产化，为解决国家亟需的前沿科技问题迈进了重要一步。相关研究成果以“High performance InGaAs/InP single...
中国科学院上海微系统与信息技术研究所InP基无锑量子阱激光器和高铟组分InGaAs材料研究获进展（图）
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 InP基无锑量子阱激光器 高铟组分InGaAs材料
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2015/4/13
2-3微米波段半导体激光器和探测器在航天遥感和气体光谱检测等方面具有重要的应用。中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室研究人员通过对量子阱有源区和分子束外延生长条件的优化，成功研制出波长达2.9微米的激光器，这是当前国际报道的波长最长InP基无锑量子阱激光器。该工作已在Applied Physics Letters 杂志上发表并引起国际广泛关注，国际半导体领域行业杂志Sem...
“室温工作的高In组分短波InGaAs线列探测器材料与器件研究”项目通过结题验收（图）
室温工作 高In组分短波InGaAs线列 探测器材料 器件研究 项目通过 结题验收
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2011/6/2
5月30日，国家自然科学基金委员会工程与材料科学部组织专家在长春对由中科院长春光学精密机械与物理研究所宋航研究员主持的重点项目“室温工作的高In组分短波InGaAs线列探测器材料与器件研究”进行了结题验收。专家组由来自我国材料科学界知名专家组成，基金委领导和工程与材料科学部领导参加了重点项目结题验收会。
上海技术物理研究所InGaAs/InP APD结构的SCM研究获进展
上海技术物理研究所 InGaAs/InP APD结构 SCM
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2009/11/26
近日，中国科学院上海技术物理研究所有关InGaAs/InP 雪崩二极管（APD）结构的扫描电容显微方法（SCM）研究工作发表在《应用物理快报》（Applied Physics Letters）上（59卷, 093506），该工作得到了技物所三期创新项目资助。
上海微系统与信息技术研究所与技物所举办InGaAs探测器技术双边研讨会（图）
探测器技术 研讨会
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2011/11/30
短波红外波段在航天遥感等领域有重要应用, InGaAs探测器及其阵列已成为此波段的优选器件。为促进技物所和上海微系统与信息技术研究所在此方面的合作和推动技术发展， 12月25日两所科技人员在上海微系统与信息技术研究所举办了InGaAs探测器技术双边研讨会。技物所的方家熊院士、龚海梅副所长和上海微系统与信息技术研究所的赵建龙副所长、曹俊诚主任以及双方科技人员、科技处管理人员和研究生等十余人参加了研讨...
中国科学院微电子研究所研制成功面向3毫米波段的InGaAs/InP双异质结双极型晶体管
双极型 晶体管
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2011/11/4
近日，中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）金智研究员领导的课题组成功研制出面向3毫米波段的InGaAs/InP双异质结双极型晶体管。
3毫米波段InGaAs/InP双异质结双极型晶体管研制成功
毫米波频段 双极型晶体管
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2008/8/6
中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）金智研究员领导的课题组成功研制出面向3毫米波段的InGaAs/InP双异质结双极型晶体管。
毫米波频段是满足日益强烈的高精度探测及高速率数据通信要求的关键资源。继8毫米波段（26.5～40GHz）之后，3毫米波段（75～111GHz）成为世界各国高频技术竞争的制高点。基于固态半导体技术的毫米波单片集成电路（MMIC）由于具有体积小、重量...