搜索结果: 1-9 共查到“知识要闻 工学 n-Si”相关记录9条 . 查询时间(0.124 秒)
中国科学院科学家发展出高品质Si/Ge半导体纤维及其柔性传感器（图）
半导体纤维 柔性传感器
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2024/2/22
2024年2月1日，中国科学院深圳先进技术研究院材料所光子信息与能源材料研究中心杨春雷课题组陈明研究团队，联合新加坡南洋理工大学教授魏磊和中国科学院外籍院士高华健团队、中国科学院苏州纳米所研究员张其冲团队，在《自然》（Nature）上发表了题为High-quality Semiconductor Fibres via Mechanical Design的研究论文。该研究报道了一种基于热拉制工艺的大...
中国科学院深圳先进技术研究院高品质Si/Ge 半导体纤维及其柔性传感器
半导体纤维 柔性传感器
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2024/6/23
2024年2月1日凌晨，中国科学院深圳先进技术研究院材料所光子信息与能源材料研究中心杨春雷课题组的陈明研究团队与新加坡南洋理工大学魏磊教授和高华健院士团队、中国科学院苏州纳米所张其冲研究员团队合作，在Nature杂志上发表了题为High-quality Semiconductor Fibres via Mechanical Design的论文，报道了一种基于热拉制工艺的大规模生产高质量半导体硅、锗...
合肥工业大学微电子学院在低暗电流V2CTx/n-Si vdW肖特基光电二极管应用于Hadamard单像素成像领域取得重要进展（图）
合肥工业大学微电子学院 低暗电流 V2CTx/n-Si vdW 肖特基光电二极管 Hadamard 单像素成像 微电子器件 IEEE Electron Device Letters
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2023/1/5
近日，合肥工业大学微电子学院安徽省MEMS工程技术研究中心许高斌教授团队于永强课题组针对有广泛应用前景的新型成像技术——单像素成像（single-pixel imaging），设计并制备了用于Hadamard单像素成像的低暗电流V2CTx/n-Si vdW肖特基光电二极管，在不添加任何滤波电路的条件下实现了高质量的128*128像素的成像结果。相关研究成果以“Low dark-current V2...
中国科学院上海高等研究院人员在化合物/C-Si钝化接触异质结太阳电池研究方面取得重要进展（图）
太阳电池 异质结 稳定性 传输
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2021/8/20
通过形成非对称的电子和空穴传输通道，使光生载流子有效分离和收集是晶体硅及其他类型光伏器件的核心问题之一。基于MoOX（X<3）空穴选择性接触的硅异质结太阳电池在载流子选择性传输方面具有明显的优势，但由于其热力学稳定性差的本征特性，器件的长期稳定性面临挑战。
中国科学院上海高等研究院在化合物/c-Si钝化接触异质结太阳电池研究方面取得重要进展（图）
化合物 c-Si钝化 异质结 太阳电池
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2020/10/19
近日，中国科学院上海高等研究院李东栋研究员、鲁林峰副研究员所带领的团队联合晋能清洁能源科技股份公司，在化合物/c-Si钝化接触异质结太阳电池的研究中取得重要进展，研究成果以“Stable MoOX‐Based Heterocontacts for p‐Type Crystalline Silicon Solar Cells Achieving 20% Efficiency”为题发表在 《Advan...
Si CMOS单芯片毫米波雷达传感器技术研究获得突破（图）
Si CMOS单芯片毫米波雷达传感器技术 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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2016/6/30
Si CMOS单芯片毫米波收发机技术是Si CMOS工艺进入90nm尤其是65nm以后才兴起的研究， 到目前为止不过数年时间。 Si CMOS 单芯片毫米波收发机技术极大的提高了毫米波系统的集成度和可靠性、全面提升毫米波系统的性能；同时极大地降低了系统物理尺寸、极大地降低了毫米波系统的成本及应用技术要求、提高了毫米波系统的产能。 这些特点将推动毫米波技术在军民两个领域更大范围的广泛使用， 推动相关...
半导体国际知名媒体专题报道电子科技大学微电子与固体电子学院张波教授团队GaN-on-Si功率器件研究成果（图）
电子科技大学微电子与固体电子学院 张波教授团队 GaN-on-Si功率器件
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2016/1/26
近日，电子科技大学微电子与固体电子学院张波教授带领的功率集成技术实验室团队在微电子器件顶级期刊《IEEE Electron Device Letters》上发表题为“7.6 V Threshold Voltage High Performance Normally-off Al2O3/GaN MOSFET Achieved by Interface Charge Engineering”（界面电荷...
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所GaN/Si功率开关器件研究获得重要突破（图）
硅材料 功率器件 复合材料
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2012/6/12
随着能效标准不断提高，基于硅（Si）材料的功率器件改进空间越来越小；人们将目光投向新材料领域，以期实现根本改进，从而引发新一代功率器件技术的革命性突破。众多新材料中，基于氮化镓（GaN）的复合材料最引人关注。GaN基功率器件具有击穿电压高、电流密度大、开关速度快、工作温度高等优点，性能远优于Si基器件；采用GaN基功率开关器件的电子系统效率可改善3.5%至7%，体积可减小35%，兼具高性能和高可靠...
原位沉淀技术制备整体型Mn/Ti-Si/堇青石选择性催化还原催化剂
选择性催化还原 脱硝 原位沉积法 TiO2-SiO2 Mn 堇青石
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2012/7/9
为提高整体型低温选择性催化还原(selective catalytic reduction，SCR)催化剂表面活性组分的牢固度和分散性，以堇青石为载体，通过原位沉淀技术制备整体构件型的低温MnOx/TiO2-SiO2催化剂，考察催化剂涂层的牢固度和脱硝活性。结果表明，利用原位沉积技术可以使TiO2-SiO2复合氧化物涂层均匀、致密地分散在堇青石载体上，并且具有很强的黏附性，SiO2的引入可以进一步...