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DC-PCVD装置中阴阳极上Si3N4薄膜沉积模型
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2007/7/28
期刊信息
篇名
DC-PCVD装置中阴阳极上Si3N4薄膜沉积模型
语种
中文
撰写或编译
作者
吴大兴，周海，杨川等
第一作者单位
刊物名称
机械工程材料
页面
1997年8月，Vol.21，No.4
出版日期
1997年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
直流等离子体法沉积氮化硅薄膜形成机理及性能研究
DC-PCVD法快速制备Si3N4薄膜
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2007/7/28
期刊信息
篇名
DC-PCVD法快速制备Si3N4薄膜
语种
中文
撰写或编译
作者
吴大兴，周海，杨川等
第一作者单位
刊物名称
硅酸盐学报
页面
1997年8月，Vol.25，No.3
出版日期
1997年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
直流等离子体法沉积氮化硅薄膜形成机理及性能研究
在DC-PCVD阴阳极上沉积氮化硅薄膜
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2007/7/28
期刊信息
篇名
在DC-PCVD阴阳极上沉积氮化硅薄膜
语种
中文
撰写或编译
作者
杨川，吴大兴，高国庆等
第一作者单位
刊物名称
功能材料
页面
1997年12月，Vol.28，No.6
出版日期
1997年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
直流等离子体法沉积氮化硅薄膜形成机理及性能研究