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搜索结果: 1-4 共查到知识库 磁约束聚变技术相关记录4条 . 查询时间(2.234 秒)
高约束运行模式(H 模)是未来聚变堆(如国际热核聚变实验堆(ITER)、中国聚变工程试验堆(CFETR)等)稳态运行的一个基本模式。通常的H模面临的最大挑战之一是高约束条件下边缘局域模(ELM: Edge Localized Mode)引起的等离子体边缘区温度、密度台基的周期性突发式崩塌。这些崩塌过程释放的强脉冲热流会导致偏滤器热负荷过载、靶板材料溅射损伤甚至融化;不仅引起偏滤器靶板的损坏,而且可...
紧凑型磁质子反冲谱仪磁分析系统的能量刻度     聚变中子  磁质子反冲  能量刻度  CR-39       font style='font-size:12px;'> 2011/8/25
介绍了一种用于多种特定环境下脉冲氘氚聚变中子能谱测量的紧凑型磁质子反冲谱仪的磁分析系统。通过三维粒子输运和蒙特卡罗模拟对磁分析系统性能进行了分析,使用CR-39径迹探测器和多个能量α单能粒子对系统进行了能量刻度。结果表明,磁分析系统具有良好的能量离散与聚焦性能,对给定能量范围的反冲质子,能够以1.5%~2.1%的能量分辨率实现(0.5~1.4)×10-4的探测效率。
超细钨丝的电解腐蚀制备及其性能表征     电解腐蚀法  电解电压  超细钨丝       font style='font-size:12px;'> 2009/2/20
直径小于7 μm的超细钨丝是制备Z-pinch丝阵负载的主要原料,为了满足Z-pinch物理实验需要,利用电解腐蚀法原理,制备出了直径最小为3.0 μm的超细钨丝。研究了电解液温度、电解液质量分数、电解电压和收丝速度等工艺条件对钨丝的影响,并用扫描电镜、原子力显微镜和万能测力计测试了所制备钨丝的直径、形貌及抗拉强度。实验表明,电解电压和收丝速度是影响钨丝腐蚀速度的主要因素,所制备的钨丝表面光滑,均...
克尔介质中超连续谱的产生与自聚焦的抑制     超连续谱  自相位调制  自聚焦       font style='font-size:12px;'> 2009/2/16
从(3+1)维非线性薛定谔方程出发,理论上分析了超短脉冲频谱展宽与自聚焦的影响因素。分析得出:通过改变泵浦光的功率和光束口径,可以实现光谱的极大展宽并避免自聚焦成丝。数值模拟了小口径强泵浦光束在BK7玻璃中的传输过程并进行了实验验证。模拟结果显示在超连续谱产生的同时小尺度调制被完全抑制。实验结果表明:降低泵浦光功率,使光束不会因为全光束自聚焦而发生塌陷,同时还能控制除自聚焦外的其它非线性效应,进而...

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