搜索结果: 1-9 共查到“知识库 半导体技术 n-Si”相关记录9条 . 查询时间(0.119 秒)
Simulation of Si CMES using synopsys sentaurus TCAD tools
Metal oxide semiconductor mechanical engineering inverter ion implantation model
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2014/12/31
This paper is concentrated on the development of a complete complementary silicon MESFET technology. The basic difference between MOS and MES are pointed out and design criteria for CMES inverters usi...
应变Si/(101)SixGe1-x空穴迁移率
应变Si 各向异性 迁移率
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2013/11/2
采用kp微扰理论，基于费米黄金法则及玻尔兹曼方程碰撞项近似理论，对(101)晶面双轴应变Si材料应力致迁移率增强机理进行了系统深入的研究．结果表明: 双轴应变Si(101)材料高对称晶向空穴迁移率在应力作用下均有明显增强，其空穴统观迁移率与未应变Si材料相比，最多提高约2倍．文中所得量化模型可为应变Si材料物理的深入理解及应变材料、器件的研究与设计提供有价值的参考．
差分SPV法测量a-Si:H材料少子扩散长度的数学模型
a-Si:H材料 差分SPV测量 扩散长度
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2009/9/23
用差分SPV法测量a-Si:H材料的少子扩散长度,可以消除被测样品背面结的影响.本文讨论了这种测量方法的数学模型,导出了测量公式,分析了影响测量结果的各种因素.
非有意掺杂LEC SI GaAs中EL2分布特性的研究
EL2 位错 AS沉淀
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2009/9/1
测量比较了不同条件下热处理后非有意掺杂半绝缘(SI)LEC GaAs中EL2浓度及其分布的变化,为了分析这一变化,还检测了位错和As沉淀的分布。在实验结果基础上,对EL2分布不均匀性的起源和热处理改善EL2分布均匀性的机理进行了讨论。
Ge+注入Si1-xGex/Si异质结的退火行为
离子注入 Si1-xGex/Si异质结 退火行为 X射线衍射
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2009/8/31
在注入能量为100 keV时,将注入剂量为5.3×1016/cm2的Ge+注入(001)SIMOX硅膜中制备Si1-xGex/Si异质结;然后,对样品进行碘钨灯快速热退火,退火温度为700~1 050℃,退火时间为5~30 min。对样品的(004)和(113)面X射线衍射数据进行计算和分析,得出退火温度为1 000℃、退火时间为30 min为最佳退火条件。在此退火条件下,假设固相外延生长为赝晶生...
用光电灵敏度法研究a-Si:H中的电荷放大效应
非晶硅 电荷放大效应 光电灵敏度法
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2009/5/11
测量了缝电极和梳形电极a-Si:H样品的光伏安特性和光电灵敏度,提出了由光电灵敏度计算电荷放大增益的方法。由此法测出的a-Si:H的电荷放大增益,在105V/cm电场下,高达4.3×103。本文从能态图讨论了a-Si:H中电荷放大效应的产生过程。由测量的增益值计算了电子迁移率与寿命之积。
Fe/Si薄膜中硅化物的形成和氧化
无机非金属材料 半导体材料 原子扩散
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2009/3/12
用磁控溅射方法制备Fe/Si薄膜, 采用卢瑟福背散射(RBS)技术研究了退火过程中的相变过程和氧化. 结果表明:未退火的Fe/Si薄膜界面清晰, 873 K退火后, 界面附近Fe、Si原子开始相互扩散,973 K退火后富金属相Fe1+xSi形成, 而1073 K退火后形成中间相FeSi,当温度增加至1273 K后所有硅化物完全转变为富硅相FeSi$_{2}$, 即随退火温度的升高,Fe、Si原子间...
ZnO欧姆电极制备与n-ZnO/p-Si异质结紫外光电特性
ZnO 宽带隙 异质结 紫外
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2010/9/6
ZnO欧姆电极制备与n-ZnO/p-Si异质结紫外光电特性。
Modification of n-Si Characteristics by Annealing and Cooling at Different Rates
n-Si Annealing Cooling rate J–V plots SEM
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2010/12/7
The effect of annealing of the n-Si semiconductor on its characteristics in photoelectrochemical systems has been investigated. The annealing improved the dark current density vs. potential plots. The...