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采用具有良好比刚度和热稳定性的碳化硅材料作为基底,使用全息-离子束刻蚀技术制作了光栅。碳化硅材料表面固有缺陷导致制作的光栅刻槽表面粗糙度高,槽底和槽顶粗糙度分别达到了29.6 nm和65.3 nm (Rq)。通过等离子辅助沉积技术在碳化硅表面镀制一层均匀的硅改性层,经过抛光可以获得无缺陷的超光滑表面。XRD测试表明制备的硅改性层为无定形结构。原子力显微镜的测试结果表明:经过抛光后,表面粗糙度为0....
基于双化学反应体系的绿敏环氧树脂基光致聚合物全息存储材料
全息存储 环氧树脂 双化学反应体系 Irgacure784
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2013/10/15
研究了一种基于双化学反应体系的绿敏环氧树脂基光致聚合物全息存储材料。通过合理设计并优化双化学反应体系中的低折射率环氧树脂基体体系和高折射率写入单体体系,获得了高透光性的光聚物薄膜,且当薄膜厚度为219 μm时,获得了84.3%的衍射效率,5.74×10-3 cm2/mJ的感光灵敏度,8.69×10-4的折射率调制度和低至0.32%的缩皱率。最后使用该材料进行了反射式全息图的拍摄,结果表明该材料具有...